facebook_pixel
  • 08 июля 2020, 11:11

    Samsung создала материал для производства новейшей компьютерной памяти

    Первооткрывателями аморфного нитрида бора стали специалисты SAIT (Samsung Advanced Institute of Technology) при поддержке сотрудников Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета. О разработке рассказал Newinform.

    Уникальность нового материала — аморфного нитрида бора (a-BN) — в его структуре. При его применении, как изолирующего материала, снижается диэлектрическая проницаемость до 1,78.

    Новую разработку будут применять при производстве новой компьютерной памяти: DRAM и NAND. Материал ляжет в основу создания серверов нового поколения.